Справочник транзисторов. HJ3669

 

Биполярный транзистор HJ3669 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ3669
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HJ3669 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hsmc
 hj3669.pdf pdf_icon

HJ3669

Spec. No. : HE6029HI-SINCERITYIssued Date : 1997.10.24Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HJ3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature........................

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | FJAF6810D | DMA26402 | 2N5302G | BD439G | DRC4124T

 

 
Back to Top

 


 
.