HJ669A Todos los transistores

 

HJ669A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HJ669A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-252

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HJ669A datasheet

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HJ669A

Spec. No. HE6830 HI-SINCERITY Issued Date 1994.01.25 Revised Date 2004.09.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HJ669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ669A is designed for low frequency power amplifier. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................

Otros transistores... HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , 9014 , HJ772 , HJ882 , HLB120A , HLB121A , HLB121D , HLB121I , HLB122I , HLB123D .

History: 2SC457

 

 

 

 

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