HJ669A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HJ669A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HJ669A
HJ669A Datasheet (PDF)
hj669a.pdf
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Spec. No. : HE6830HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.09.23MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HJ669ANPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ669A is designed for low frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS