HJ669A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HJ669A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HJ669A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ669A даташит

 ..1. Size:33K  hsmc
 hj669a.pdf pdf_icon

HJ669A

Spec. No. HE6830 HI-SINCERITY Issued Date 1994.01.25 Revised Date 2004.09.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HJ669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HJ669A is designed for low frequency power amplifier. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................

Другие транзисторы: HJ10387, HJ112, HJ117, HJ122, HJ127, HJ13003, HJ3669, HJ667A, 9014, HJ772, HJ882, HLB120A, HLB121A, HLB121D, HLB121I, HLB122I, HLB123D