Биполярный транзистор HJ669A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HJ669A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO-252
HJ669A Datasheet (PDF)
..1. Size:33K hsmc
hj669a.pdf
hj669a.pdf
Spec. No. : HE6830HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.09.23MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HJ669ANPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ669A is designed for low frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS