Справочник транзисторов. HJ669A

 

Биполярный транзистор HJ669A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HJ669A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для HJ669A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HJ669A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  hsmc
 hj669a.pdf pdf_icon

HJ669A

Spec. No. : HE6830HI-SINCERITYIssued Date : 1994.01.25Revised Date : 2004.09.23MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/3HJ669ANPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HJ669A is designed for low frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................

Другие транзисторы... HJ10387 , HJ112 , HJ117 , HJ122 , HJ127 , HJ13003 , HJ3669 , HJ667A , C3198 , HJ772 , HJ882 , HLB120A , HLB121A , HLB121D , HLB121I , HLB122I , HLB123D .

History: BCY30 | BFS520 | ME5308 | 40320S | MPS835

 

 
Back to Top

 


 
.