HM112 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM112  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: SOT-89

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HM112 datasheet

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HM112

Spec. No. HM200102 HI-SINCERITY Issued Date 2001.07.30 Revised Date 2007.03.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HM112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SOT-89 Description The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching Darlington Schematic C applications. Absolute Maximum Ratings (T =25 C) A B Maximum Temperatures

Otros transistores... HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I, HLB123SA, HLB123T, HLB124E, HLB125HE, NJW0281G, HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669, HM42, HM44, HM5401, HM5551