HM112 Todos los transistores

 

HM112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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HM112 Datasheet (PDF)

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HM112

Spec. No. : HM200102 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.07.30 Revised Date : 2007.03.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HM112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SOT-89 Description The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching Darlington Schematic Capplications. Absolute Maximum Ratings (T =25C) A B Maximum Temperatures

Otros transistores... HLB121I , HLB122I , HLB123D , HLB123I , HLB123SA , HLB123T , HLB124E , HLB125HE , D965 , HM117 , HM2222A , HM2907A , HM3669 , HM42 , HM44 , HM5401 , HM5551 .

History: UN211N

 

 
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