HM112 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM112  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM112 даташит

 ..1. Size:53K  hsmc
 hm112.pdf pdf_icon

HM112

Spec. No. HM200102 HI-SINCERITY Issued Date 2001.07.30 Revised Date 2007.03.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HM112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SOT-89 Description The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching Darlington Schematic C applications. Absolute Maximum Ratings (T =25 C) A B Maximum Temperatures

Другие транзисторы: HLB121I, HLB122I, HLB123D, HLB123I, HLB123SA, HLB123T, HLB124E, HLB125HE, NJW0281G, HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669, HM42, HM44, HM5401, HM5551