Биполярный транзистор HM112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SOT-89
HM112 Datasheet (PDF)
..1. Size:53K hsmc
hm112.pdf
hm112.pdf
Spec. No. : HM200102 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.07.30 Revised Date : 2007.03.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HM112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SOT-89 Description The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching Darlington Schematic Capplications. Absolute Maximum Ratings (T =25C) A B Maximum Temperatures
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
