Справочник транзисторов. HM112

 

Биполярный транзистор HM112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HM112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для HM112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  hsmc
 hm112.pdf pdf_icon

HM112

Spec. No. : HM200102 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.07.30 Revised Date : 2007.03.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HM112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SOT-89 Description The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching Darlington Schematic Capplications. Absolute Maximum Ratings (T =25C) A B Maximum Temperatures

Другие транзисторы... HLB121I , HLB122I , HLB123D , HLB123I , HLB123SA , HLB123T , HLB124E , HLB125HE , D965 , HM117 , HM2222A , HM2907A , HM3669 , HM42 , HM44 , HM5401 , HM5551 .

 

 
Back to Top

 


 
.