HM3669 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3669  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT-89

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HM3669 datasheet

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HM3669

Spec. No. HM200206 HI-SINCERITY Issued Date 2000.07.01 Revised Date 2004.11.24 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. SOT-89 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature......................

Otros transistores... HLB123SA, HLB123T, HLB124E, HLB125HE, HM112, HM117, HM2222A, HM2907A, BC549, HM42, HM44, HM5401, HM5551, HM669A, HM6718, HM772, HM772A