HM3669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM3669
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de HM3669
HM3669 Datasheet (PDF)
hm3669.pdf

Spec. No. : HM200206HI-SINCERITYIssued Date : 2000.07.01Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.SOT-89Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature......................
Otros transistores... HLB123SA , HLB123T , HLB124E , HLB125HE , HM112 , HM117 , HM2222A , HM2907A , 2222A , HM42 , HM44 , HM5401 , HM5551 , HM669A , HM6718 , HM772 , HM772A .
History: 2SD1454
History: 2SD1454



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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