Биполярный транзистор HM3669 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HM3669
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
HM3669 Datasheet (PDF)
hm3669.pdf

Spec. No. : HM200206HI-SINCERITYIssued Date : 2000.07.01Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.SOT-89Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature......................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3043 | BD410 | 2SC5265 | BUL54BFI | 2N3509CSM | 2N926 | DTA114YET1G
History: 2SC3043 | BD410 | 2SC5265 | BUL54BFI | 2N3509CSM | 2N926 | DTA114YET1G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor