Справочник транзисторов. HM3669

 

Биполярный транзистор HM3669 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HM3669
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для HM3669

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM3669 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 hm3669.pdf pdf_icon

HM3669

Spec. No. : HM200206HI-SINCERITYIssued Date : 2000.07.01Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.SOT-89Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature......................

Другие транзисторы... HLB123SA , HLB123T , HLB124E , HLB125HE , HM112 , HM117 , HM2222A , HM2907A , 2222A , HM42 , HM44 , HM5401 , HM5551 , HM669A , HM6718 , HM772 , HM772A .

History: SQ2857 | IT122 | GT806G

 

 
Back to Top

 


 
.