HM3669 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM3669  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM3669

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM3669 даташит

 ..1. Size:52K  hsmc
 hm3669.pdf pdf_icon

HM3669

Spec. No. HM200206 HI-SINCERITY Issued Date 2000.07.01 Revised Date 2004.11.24 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM3669 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switching application. SOT-89 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Tstg Storage Temperature......................

Другие транзисторы: HLB123SA, HLB123T, HLB124E, HLB125HE, HM112, HM117, HM2222A, HM2907A, BC549, HM42, HM44, HM5401, HM5551, HM669A, HM6718, HM772, HM772A