Биполярный транзистор HM3669 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM3669
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-89
HM3669 Datasheet (PDF)
..1. Size:52K hsmc
hm3669.pdf
hm3669.pdf
Spec. No. : HM200206HI-SINCERITYIssued Date : 2000.07.01Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM3669NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM3669 is designed for using in power amplifier applications, power switchingapplication.SOT-89Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesTstg Storage Temperature......................
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050