HM5401 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM5401 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT-89
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HM5401 datasheet
hm5401.pdf
Spec. No. HE9503 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.09 Revised Date 2004.12.21 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HM5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. SOT-89 Features High current-emitter breakdown voltage.VCEO=150V(@IC=1mA) Complements to NPN type HM5551 Absolu
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM540ANGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 36 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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