HM5401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HM5401
HM5401 Datasheet (PDF)
hm5401.pdf
Spec. No. : HE9503HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.12.21MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HM5401PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM5401 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-89Features High current-emitter breakdown voltage.VCEO=150V(@IC=1mA) Complements to NPN type HM5551Absolu
chm540apagp.pdf
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chm540angp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM540ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 36 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N3676
History: 2N3676
Liste
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