HM5401 - описание и поиск аналогов

 

HM5401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5401

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для HM5401

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM5401 даташит

 ..1. Size:44K  hsmc
 hm5401.pdf pdf_icon

HM5401

Spec. No. HE9503 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.09 Revised Date 2004.12.21 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HM5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. SOT-89 Features High current-emitter breakdown voltage.VCEO=150V(@IC=1mA) Complements to NPN type HM5551 Absolu

 9.1. Size:86K  chenmko
 chm540apagp.pdf pdf_icon

HM5401

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM540APAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 25 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

 9.2. Size:108K  chenmko
 chm540angp.pdf pdf_icon

HM5401

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM540ANGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 36 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

Другие транзисторы... HLB125HE , HM112 , HM117 , HM2222A , HM2907A , HM3669 , HM42 , HM44 , BC556 , HM5551 , HM669A , HM6718 , HM772 , HM772A , HM882 , HM92 , HM94 .

History: HS882

 

 

 

 

↑ Back to Top
.