HM5551 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM5551  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-89

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HM5551 datasheet

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HM5551

Spec. No. HE9507 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.09 Revised Date 2004.11.24 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. SOT-89 Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401 Abs

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