HM5551 Todos los transistores

 

HM5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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HM5551 Datasheet (PDF)

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HM5551

Spec. No. : HE9507HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM5551 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-89Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401Abs

Otros transistores... HM112 , HM117 , HM2222A , HM2907A , HM3669 , HM42 , HM44 , HM5401 , 2SA1015 , HM669A , HM6718 , HM772 , HM772A , HM882 , HM92 , HM94 , HM965 .

History: DTA143EET1G | DRC2514E

 

 
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