Справочник транзисторов. HM5551

 

Биполярный транзистор HM5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HM5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для HM5551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  hsmc
 hm5551.pdf pdf_icon

HM5551

Spec. No. : HE9507HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM5551 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-89Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401Abs

Другие транзисторы... HM112 , HM117 , HM2222A , HM2907A , HM3669 , HM42 , HM44 , HM5401 , 2SA1015 , HM669A , HM6718 , HM772 , HM772A , HM882 , HM92 , HM94 , HM965 .

 

 
Back to Top

 


 
.