Биполярный транзистор HM5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-89
HM5551 Datasheet (PDF)
..1. Size:40K hsmc
hm5551.pdf
hm5551.pdf
Spec. No. : HE9507HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM5551 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-89Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401Abs
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
