Биполярный транзистор HM5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HM5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-89
HM5551 Datasheet (PDF)
..1. Size:40K hsmc
hm5551.pdf
hm5551.pdf
Spec. No. : HE9507HI-SINCERITYIssued Date : 1996.04.09Revised Date : 2004.11.24MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HM5551NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HM5551 is designed for general purpose applications requiring highbreakdown voltages.SOT-89Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401Abs
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050