HM5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM5551 даташит

 ..1. Size:40K  hsmc
 hm5551.pdf pdf_icon

HM5551

Spec. No. HE9507 HI-SINCERITY Issued Date 1996.04.09 Revised Date 2004.11.24 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM5551 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. SOT-89 Features High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401 Abs

Другие транзисторы: HM112, HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669, HM42, HM44, HM5401, BC639, HM669A, HM6718, HM772, HM772A, HM882, HM92, HM94, HM965