HM669A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM669A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-89

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HM669A datasheet

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HM669A

Spec. No. HM200205 HI-SINCERITY Issued Date 1995.12.18 Revised Date 2004.09.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier complementary pair with HM649A SOT-89 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature .............................................................

Otros transistores... HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669, HM42, HM44, HM5401, HM5551, 2SD669, HM6718, HM772, HM772A, HM882, HM92, HM94, HM965, HMBT1015