HM669A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM669A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HM669A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HM669A даташит

 ..1. Size:40K  hsmc
 hm669a.pdf pdf_icon

HM669A

Spec. No. HM200205 HI-SINCERITY Issued Date 1995.12.18 Revised Date 2004.09.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM669A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier complementary pair with HM649A SOT-89 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature .............................................................

Другие транзисторы: HM117, HM2222A, HM2907A, HM3669, HM42, HM44, HM5401, HM5551, 2SD669, HM6718, HM772, HM772A, HM882, HM92, HM94, HM965, HMBT1015