HMBT1815 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMBT1815
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HMBT1815
HMBT1815 Datasheet (PDF)
hmbt1815.pdf
Spec. No. : HE6805HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1815NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
hmbt1015.pdf
Spec. No. : HE6804HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1015PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
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