HMBT1815 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMBT1815  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HMBT1815

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HMBT1815 даташит

 ..1. Size:40K  hsmc
 hmbt1815.pdf pdf_icon

HMBT1815

Spec. No. HE6805 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT1815 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.................................

 9.1. Size:39K  hsmc
 hmbt1015.pdf pdf_icon

HMBT1815

Spec. No. HE6804 HI-SINCERITY Issued Date 1992.08.25 Revised Date 2004.08.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMBT1015 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.................................

Другие транзисторы: HM6718, HM772, HM772A, HM882, HM92, HM94, HM965, HMBT1015, TIP32C, HMBT2222A, HMBT2369, HMBT2907A, HMBT3904, HMBT3906, HMBT4401, HMBT4403, HMBT5401