Биполярный транзистор HMBT1815 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMBT1815
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
HMBT1815 Datasheet (PDF)
hmbt1815.pdf
Spec. No. : HE6805HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1815NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
hmbt1015.pdf
Spec. No. : HE6804HI-SINCERITYIssued Date : 1992.08.25Revised Date : 2004.08.10MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT1015PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and generalpurpose amplification.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.................................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
