HSB649T Todos los transistores

 

HSB649T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSB649T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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HSB649T datasheet

 ..1. Size:41K  hsmc
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HSB649T

Spec. No. HT200103 HI-SINCERITY Issued Date 2001.12.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB649T SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................................

 8.1. Size:41K  hsmc
 hsb649a.pdf pdf_icon

HSB649T

Spec. No. HE6629 HI-SINCERITY Issued Date 1995.12.18 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB649A SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................

Otros transistores... HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , HSB1109S , HSB649A , A733 , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 .

 

 

 


 
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