HSB649T Todos los transistores

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HSB649T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSB649T

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: TO-126

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HSB649T

HSB649T Datasheet PDF:

1.1. hsb649t.pdf Size:41K _hsmc

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Spec. No. : HT200103 HI-SINCERITY Issued Date : 2001.12.01 Revised Date : 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HSB649T SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25°C) • Maximum Temperatures Storage Temperature .....................................................................................

4.1. hsb649a.pdf Size:41K _hsmc

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Spec. No. : HE6629 HI-SINCERITY Issued Date : 1995.12.18 Revised Date : 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HSB649A SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25°C) • Maximum Temperatures Storage Temperature .....................................................

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