HSB649T - описание и поиск аналогов

 

HSB649T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSB649T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для HSB649T

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSB649T даташит

 ..1. Size:41K  hsmc
 hsb649t.pdf pdf_icon

HSB649T

Spec. No. HT200103 HI-SINCERITY Issued Date 2001.12.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB649T SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................................................

 8.1. Size:41K  hsmc
 hsb649a.pdf pdf_icon

HSB649T

Spec. No. HE6629 HI-SINCERITY Issued Date 1995.12.18 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB649A SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..................................................

Другие транзисторы: HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , HSB1109S , HSB649A , A733 , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.