Справочник транзисторов. HSB649T

 

Биполярный транзистор HSB649T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HSB649T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-126
 

 Аналог (замена) для HSB649T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSB649T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  hsmc
 hsb649t.pdf pdf_icon

HSB649T

Spec. No. : HT200103HI-SINCERITYIssued Date : 2001.12.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649TSILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................................................

 8.1. Size:41K  hsmc
 hsb649a.pdf pdf_icon

HSB649T

Spec. No. : HE6629HI-SINCERITYIssued Date : 1995.12.18Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB649ASILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier complementary pair with HSD669A.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..................................................

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: LBC559B | BUT91 | 2N5113 | KTC5242A

 

 
Back to Top

 


 
.