HSB772 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSB772
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-126ML
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HSB772 datasheet
hsb772.pdf
Spec. No. HE6605 HI-SINCERITY Issued Date 1993.05.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB772 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperat
hsb772s.pdf
Spec. No. HE6549 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2004.08.13 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB772S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and driver. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature..................
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