Биполярный транзистор HSB772 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSB772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-126ML
HSB772 Datasheet (PDF)
hsb772.pdf
Spec. No. : HE6605HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and relay driver.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperat
hsb772s.pdf
Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature..................
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050