HSB857 Todos los transistores

 

HSB857 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSB857
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de HSB857

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSB857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  hsmc
hsb857.pdf pdf_icon

HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

 ..2. Size:44K  cn haohai electr
hsb857 2sb857.pdf pdf_icon

HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

 0.1. Size:43K  hsmc
hsb857j.pdf pdf_icon

HSB857

Spec. No. : HJ200101HI-SINCERITYIssued Date : 2001.09.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857JPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

 0.2. Size:42K  hsmc
hsb857d.pdf pdf_icon

HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857DPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

Otros transistores... HSA1015 , HSA733 , HSB1109 , HSB1109S , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , 2SA1837 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 .

 

 
Back to Top

 


 
.