Справочник транзисторов. HSB857

 

Биполярный транзистор HSB857 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HSB857
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-220AB

 Аналоги (замена) для HSB857

 

 

HSB857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  hsmc
hsb857.pdf

HSB857
HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

 ..2. Size:44K  cn haohai electr
hsb857 2sb857.pdf

HSB857
HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

 0.1. Size:43K  hsmc
hsb857j.pdf

HSB857
HSB857

Spec. No. : HJ200101HI-SINCERITYIssued Date : 2001.09.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857JPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

 0.2. Size:42K  hsmc
hsb857d.pdf

HSB857
HSB857

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857DPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top