HSC1815 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSC1815 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO-92
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HSC1815 datasheet
hsc1815.pdf
Spec. No. HE6523 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSC1815 NPN Epitaxial Planar Transistor Description The HSC1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.........................................
Otros transistores... HSB1109S, HSB649A, HSB649T, HSB772, HSB772S, HSB857, HSB857D, HSB857J, 2SC2383, HSC945, HSD1609, HSD1609S, HSD1616A, HSD313, HSD468, HSD667A, HSD669A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: CSB737Q | 2SD669-C | MJ14000 | MJ15012
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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