HSC945 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSC945
Código: CR
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 135
Paquete / Cubierta: SOT23 TO92
Búsqueda de reemplazo de HSC945
HSC945 datasheet
hsc945.pdf
Spec. No. HE6517 HI-SINCERITY Issued Date 1995.02.11 Revised Date 2004.08.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSC945 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSC945 is designed for using driver stage of AP amplifier and low speed switching applications. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ...................................
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HSC945 NPN-TRANSISTOR NPN, 100mA, 60V NPN HSC945 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SMD HSC945LT1 NPN, BEC Excellent hFE linearity General Purpose Transistors Low noise Complementary to A733 Transistor Polarity NPN C945 Transistor pinout BEC 2SC945 C945L
Otros transistores... HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , B772 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT .
History: 2SC2001-K
History: 2SC2001-K
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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