Биполярный транзистор HSC945 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSC945
Маркировка: CR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: SOT23 TO92
HSC945 Datasheet (PDF)
hsc945.pdf
Spec. No. : HE6517HI-SINCERITYIssued Date : 1995.02.11Revised Date : 2004.08.09MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSC945NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSC945 is designed for using driver stage of AP amplifier and low speedswitching applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................
hsc945.pdf
HSC945NPN-TRANSISTORNPN, 100mA, 60V NPN HSC945NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR SMDHSC945LT1NPN, BECExcellent hFE linearityGeneral Purpose TransistorsLow noiseComplementary to A733Transistor Polarity: NPNC945Transistor pinout: BEC 2SC945C945L
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050