HSD313 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSD313
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO-220AB
- Selección de transistores por parámetros
HSD313 Datasheet (PDF)
hsd313.pdf

Spec. No. : HE6728HI-SINCERITYIssued Date : 1993.04.12Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD313NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSD313 is designed for use in general purpose amplifier and switchingapplications.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BD402 | 40968 | 41501 | BFR71 | MRF342 | MRF9411BLT3
History: BD402 | 40968 | 41501 | BFR71 | MRF342 | MRF9411BLT3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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