Биполярный транзистор HSD313 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSD313
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-220AB
HSD313 Datasheet (PDF)
..1. Size:52K hsmc
hsd313.pdf
hsd313.pdf
Spec. No. : HE6728HI-SINCERITYIssued Date : 1993.04.12Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD313NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSD313 is designed for use in general purpose amplifier and switchingapplications.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050