HSD313 - описание и поиск аналогов

 

HSD313. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSD313

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-220AB

 Аналоги (замена) для HSD313

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD313 даташит

 ..1. Size:52K  hsmc
 hsd313.pdf pdf_icon

HSD313

Spec. No. HE6728 HI-SINCERITY Issued Date 1993.04.12 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSD313 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD313 is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ...................................

Другие транзисторы: HSB857, HSB857D, HSB857J, HSC1815, HSC945, HSD1609, HSD1609S, HSD1616A, BD135, HSD468, HSD667A, HSD669A, HSD669AT, HSD879, HSD882, HSD882S, HSD965

 

 

 

 

↑ Back to Top
.