Справочник транзисторов. HSD313

 

Биполярный транзистор HSD313 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HSD313
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HSD313

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 hsd313.pdf pdf_icon

HSD313

Spec. No. : HE6728HI-SINCERITYIssued Date : 1993.04.12Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSD313NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSD313 is designed for use in general purpose amplifier and switchingapplications.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................

Другие транзисторы... HSB857 , HSB857D , HSB857J , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , BD135 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 .

History: 2N533 | 2SD1631 | 2N1199A | BUV46AFI | NPS2222AR | 2N5623 | ZTX238

 

 
Back to Top

 


 
.