HSD879 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSD879
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 140
Encapsulados: TO-92
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HSD879 datasheet
hsd879.pdf
Spec. No. HA200207 HI-SINCERITY Issued Date 1996.07.15 Revised Date 2005.02.15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSD879 SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR Description For 1.5V and 3v electronic flash use. TO-92 Features Charger-up time is about 1 ms faster than of a germanium transistor Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing time
Otros transistores... HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , 2SD313 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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