HSD879 Todos los transistores

 

HSD879 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSD879
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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HSD879 Datasheet (PDF)

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HSD879

Spec. No. : HA200207HI-SINCERITYIssued Date : 1996.07.15Revised Date : 2005.02.15MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSD879SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTORDescriptionFor 1.5V and 3v electronic flash use.TO-92Features Charger-up time is about 1 ms faster than of a germanium transistor Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing time

Otros transistores... HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , BC558 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 .

History: ZTX314M

 

 
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