Биполярный транзистор HSD879 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSD879
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: TO-92
HSD879 Datasheet (PDF)
..1. Size:45K hsmc
hsd879.pdf
hsd879.pdf
Spec. No. : HA200207HI-SINCERITYIssued Date : 1996.07.15Revised Date : 2005.02.15MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSD879SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTORDescriptionFor 1.5V and 3v electronic flash use.TO-92Features Charger-up time is about 1 ms faster than of a germanium transistor Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing time
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050