Справочник транзисторов. HSD879

 

Биполярный транзистор HSD879 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HSD879
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для HSD879

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD879 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  hsmc
 hsd879.pdf pdf_icon

HSD879

Spec. No. : HA200207HI-SINCERITYIssued Date : 1996.07.15Revised Date : 2005.02.15MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSD879SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTORDescriptionFor 1.5V and 3v electronic flash use.TO-92Features Charger-up time is about 1 ms faster than of a germanium transistor Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing time

Другие транзисторы... HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , BC558 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 .

 

 
Back to Top

 


 
.