HSD879 - описание и поиск аналогов

 

HSD879. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSD879

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HSD879

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD879 даташит

 ..1. Size:45K  hsmc
 hsd879.pdf pdf_icon

HSD879

Spec. No. HA200207 HI-SINCERITY Issued Date 1996.07.15 Revised Date 2005.02.15 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSD879 SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR Description For 1.5V and 3v electronic flash use. TO-92 Features Charger-up time is about 1 ms faster than of a germanium transistor Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing time

Другие транзисторы: HSD1609, HSD1609S, HSD1616A, HSD313, HSD468, HSD667A, HSD669A, HSD669AT, 2SD313, HSD882, HSD882S, HSD965, HT112, HT117, HT772, HT882, HTIP112

 

 

 

 

↑ Back to Top
.