HSD965 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSD965
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 230
Encapsulados: TO-92
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HSD965 datasheet
hsd965.pdf
Spec. No. HE6537 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2004.11.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSD965 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD965 is suited for use as AF output amplifier and flash unit. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ....................................................................
Otros transistores... HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , SS8050 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 .
History: 2SD2056 | 2SD2060 | 2SC3162 | EMX5 | 2N5969 | 2SAB26N | 2SC1528
History: 2SD2056 | 2SD2060 | 2SC3162 | EMX5 | 2N5969 | 2SAB26N | 2SC1528
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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