HSD965 Todos los transistores

 

HSD965 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSD965

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 230

Encapsulados: TO-92

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HSD965 datasheet

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HSD965

Spec. No. HE6537 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2004.11.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSD965 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD965 is suited for use as AF output amplifier and flash unit. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ....................................................................

Otros transistores... HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , SS8050 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 .

History: 2SD2056 | 2SD2060 | 2SC3162 | EMX5 | 2N5969 | 2SAB26N | 2SC1528

 

 

 


History: 2SD2056 | 2SD2060 | 2SC3162 | EMX5 | 2N5969 | 2SAB26N | 2SC1528

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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