Справочник транзисторов. HSD965

 

Биполярный транзистор HSD965 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HSD965
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для HSD965

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD965 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  hsmc
 hsd965.pdf pdf_icon

HSD965

Spec. No. : HE6537HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.11.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSD965NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSD965 is suited for use as AF output amplifier and flash unit.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................

Другие транзисторы... HSD313 , HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , A1013 , HT112 , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 .

History: BUL1102E

 

 
Back to Top

 


 
.