HSD965 - описание и поиск аналогов

 

HSD965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSD965

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HSD965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSD965 даташит

 ..1. Size:47K  hsmc
 hsd965.pdf pdf_icon

HSD965

Spec. No. HE6537 HI-SINCERITY Issued Date 1992.11.25 Revised Date 2004.11.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSD965 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD965 is suited for use as AF output amplifier and flash unit. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ....................................................................

Другие транзисторы: HSD313, HSD468, HSD667A, HSD669A, HSD669AT, HSD879, HSD882, HSD882S, SS8050, HT112, HT117, HT772, HT882, HTIP112, HTIP117, HTIP122, HTIP127

 

 

 

 

↑ Back to Top
.