HT112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HT112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-126
Búsqueda de reemplazo de HT112
HT112 Datasheet (PDF)
ht112.pdf

Spec. No. : HT200101HI-SINCERITYIssued Date : 2000.05.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HT112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HT112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature .........................
Otros transistores... HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , D209L , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C .
History: MP5179 | RN2103ACT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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