HT112 Todos los transistores

 

HT112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HT112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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HT112 Datasheet (PDF)

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HT112

Spec. No. : HT200101HI-SINCERITYIssued Date : 2000.05.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HT112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HT112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature .........................

Otros transistores... HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , D209L , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C .

History: MP5179 | RN2103ACT

 

 
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