HT112 - описание и поиск аналогов

 

HT112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HT112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для HT112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HT112 даташит

 ..1. Size:52K  hsmc
 ht112.pdf pdf_icon

HT112

Spec. No. HT200101 HI-SINCERITY Issued Date 2000.05.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HT112 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HT112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature .........................

Другие транзисторы: HSD468, HSD667A, HSD669A, HSD669AT, HSD879, HSD882, HSD882S, HSD965, 8550, HT117, HT772, HT882, HTIP112, HTIP117, HTIP122, HTIP127, HTIP41C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.