Справочник транзисторов. HT112

 

Биполярный транзистор HT112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HT112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-126
 

 Аналог (замена) для HT112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HT112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  hsmc
 ht112.pdf pdf_icon

HT112

Spec. No. : HT200101HI-SINCERITYIssued Date : 2000.05.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HT112NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HT112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speedswitching applications.TO-126Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature .........................

Другие транзисторы... HSD468 , HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , D209L , HT117 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C .

History: M54567FP

 

 
Back to Top

 


 
.