HT117 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HT117
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO-126
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HT117 datasheet
ht117.pdf
Spec. No. HT200207 HI-SINCERITY Issued Date 2002.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HT117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-126 The HT117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperatu
Otros transistores... HSD667A , HSD669A , HSD669AT , HSD879 , HSD882 , HSD882S , HSD965 , HT112 , 9014 , HT772 , HT882 , HTIP112 , HTIP117 , HTIP122 , HTIP127 , HTIP41C , HTIP42C .
History: HTIP41C | 2SC2053 | HTIP127
History: HTIP41C | 2SC2053 | HTIP127
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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