HT117 - описание и поиск аналогов

 

HT117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HT117

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для HT117

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HT117 даташит

 ..1. Size:43K  hsmc
 ht117.pdf pdf_icon

HT117

Spec. No. HT200207 HI-SINCERITY Issued Date 2002.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HT117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TO-126 The HT117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed switching applications. Darlington Schematic C Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) B Maximum Temperatures Storage Temperatu

Другие транзисторы: HSD667A, HSD669A, HSD669AT, HSD879, HSD882, HSD882S, HSD965, HT112, 9014, HT772, HT882, HTIP112, HTIP117, HTIP122, HTIP127, HTIP41C, HTIP42C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.