C45C11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C45C11
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 125 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
C45C11 Datasheet (PDF)
c45c5 c45c11.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS C45C5,11TO-220Designed for Various Specific and General Purpose Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL C45C5 C45C11 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 45 80 VCollector -Emitter Voltage VCES 55 90 VEmitter Base Voltage VE
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZXTP05120HFF | FCS9014 | BC526A | BUX53SMD05 | DCX114YH | BUH50 | NSVUMC3NT1G
History: ZXTP05120HFF | FCS9014 | BC526A | BUX53SMD05 | DCX114YH | BUH50 | NSVUMC3NT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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