C45C11 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C45C11

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 125 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO-220

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C45C11 datasheet

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C45C11

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS C45C5,11 TO-220 Designed for Various Specific and General Purpose Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL C45C5 C45C11 UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 45 80 V Collector -Emitter Voltage VCES 55 90 V Emitter Base Voltage VE

Otros transistores... BF469, C13003, C2688BPL, C42C2, C43C2, C44C11, C44C8, C44VH10, C1815, C45C5, C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, CDB1370EF, CDD1933