Биполярный транзистор C45C11 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C45C11
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-220
C45C11 Datasheet (PDF)
c45c5 c45c11.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS C45C5,11TO-220Designed for Various Specific and General Purpose Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL C45C5 C45C11 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 45 80 VCollector -Emitter Voltage VCES 55 90 VEmitter Base Voltage VE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .