CDB1370 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CDB1370
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-126
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CDB1370 datasheet
cdb1370.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF (9AW) TO126 MARKING CDB 1370 EF Low Freq. Power Amp. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current Con
Otros transistores... C44C8 , C44VH10 , C45C11 , C45C5 , C45C8 , CD13003 , CD13003D , CD3968 , BC337 , CDB1370EF , CDD1933 , CDD2061 , CDD2395 , CDL6718 , CFA1012 , CFA1012O , CFA1012Y .
History: C45C5 | 2SC2188 | 2SC2036 | 2SC2037 | 2SC2032
History: C45C5 | 2SC2188 | 2SC2036 | 2SC2037 | 2SC2032
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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