CDB1370 Todos los transistores

 

CDB1370 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CDB1370

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-126

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CDB1370 datasheet

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CDB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF (9AW) TO126 MARKING CDB 1370 EF Low Freq. Power Amp. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current Con

Otros transistores... C44C8 , C44VH10 , C45C11 , C45C5 , C45C8 , CD13003 , CD13003D , CD3968 , BC337 , CDB1370EF , CDD1933 , CDD2061 , CDD2395 , CDL6718 , CFA1012 , CFA1012O , CFA1012Y .

History: C45C5 | 2SC2188 | 2SC2036 | 2SC2037 | 2SC2032

 

 

 


History: C45C5 | 2SC2188 | 2SC2036 | 2SC2037 | 2SC2032

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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

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