Справочник транзисторов. CDB1370

 

Биполярный транзистор CDB1370 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CDB1370
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-126
 

 Аналог (замена) для CDB1370

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDB1370 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  cdil
 cdb1370.pdf pdf_icon

CDB1370

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF(9AW)TO126MARKING: CDB1370EFLow Freq. Power Amp.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current Con

Другие транзисторы... C44C8 , C44VH10 , C45C11 , C45C5 , C45C8 , CD13003 , CD13003D , CD3968 , D882 , CDB1370EF , CDD1933 , CDD2061 , CDD2395 , CDL6718 , CFA1012 , CFA1012O , CFA1012Y .

 

 
Back to Top

 


 
.