CDB1370EF Todos los transistores

 

CDB1370EF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CDB1370EF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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CDB1370EF Datasheet (PDF)

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CDB1370EF

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF(9AW)TO126MARKING: CDB1370EFLow Freq. Power Amp.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current Con

Otros transistores... C44VH10 , C45C11 , C45C5 , C45C8 , CD13003 , CD13003D , CD3968 , CDB1370 , BD140 , CDD1933 , CDD2061 , CDD2395 , CDL6718 , CFA1012 , CFA1012O , CFA1012Y , CFB1342 .

 

 
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