CDB1370EF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CDB1370EF
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO-126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CDB1370EF
CDB1370EF Datasheet (PDF)
cdb1370.pdf
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF(9AW)TO126MARKING: CDB1370EFLow Freq. Power Amp.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current Con
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