CDB1370EF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CDB1370EF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CDB1370EF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDB1370EF даташит

 7.1. Size:85K  cdil
 cdb1370.pdf pdf_icon

CDB1370EF

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDB1370EF (9AW) TO126 MARKING CDB 1370 EF Low Freq. Power Amp. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current Con

Другие транзисторы: C44VH10, C45C11, C45C5, C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, S8050, CDD1933, CDD2061, CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342