CDD2061 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CDD2061  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 70 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-220

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CDD2061 datasheet

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CDD2061

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDD2061 (9AW) TO-220 Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 3.0 A Pea

Otros transistores... C45C5, C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, CDB1370EF, CDD1933, TIP122, CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370, CFB612