CDD2061 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDD2061  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDD2061

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDD2061 даташит

 ..1. Size:133K  cdil
 cdd2061.pdf pdf_icon

CDD2061

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDD2061 (9AW) TO-220 Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 3.0 A Pea

Другие транзисторы: C45C5, C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, CDB1370EF, CDD1933, TIP122, CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370, CFB612