CDD2061 - описание и поиск аналогов

 

CDD2061 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CDD2061
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CDD2061

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDD2061 - технические параметры

 ..1. Size:133K  cdil
 cdd2061.pdf pdf_icon

CDD2061

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDD2061 (9AW) TO-220 Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 3.0 A Pea

Другие транзисторы... C45C5 , C45C8 , CD13003 , CD13003D , CD3968 , CDB1370 , CDB1370EF , CDD1933 , TIP122 , CDD2395 , CDL6718 , CFA1012 , CFA1012O , CFA1012Y , CFB1342 , CFB1370 , CFB612 .

 

 
Back to Top

 


 
.