CFB1370 Todos los transistores

 

CFB1370 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CFB1370
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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CFB1370 PDF detailed specifications

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CFB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CFB1370 (9AW) TO-220FP Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 3.0 A P... See More ⇒

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CFB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CFB1342 (9AW) TO-220FP MARKING - CFB 1342 Low Freq. Power Amp. Built in Damper Diode Complementry CFD1933 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V ... See More ⇒

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