CFB1370 Todos los transistores

 

CFB1370 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CFB1370
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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CFB1370 Datasheet (PDF)

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CFB1370

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CFB1370(9AW)TO-220FPDesigned For AF Power Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current IC 3.0 AP

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CFB1370

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CFB1342(9AW)TO-220FPMARKING:- CFB1342Low Freq. Power Amp.Built in Damper DiodeComplementry CFD1933ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 80 VCollector -Emitter Voltage VCEO 80 V

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