CFB1370 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CFB1370  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220FP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CFB1370

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CFB1370 даташит

 ..1. Size:83K  cdil
 cfb1370.pdf pdf_icon

CFB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CFB1370 (9AW) TO-220FP Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 3.0 A P

 9.1. Size:84K  cdil
 cfb1342.pdf pdf_icon

CFB1370

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CFB1342 (9AW) TO-220FP MARKING - CFB 1342 Low Freq. Power Amp. Built in Damper Diode Complementry CFD1933 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V

Другие транзисторы: CDD1933, CDD2061, CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, TIP42C, CFB612, CFB810, CFD1933, CFD611, CFD811, CJF122, CJF127, CJF15028