CL100B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CL100B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-39

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CL100B datasheet

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CL100B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPN CK100S PNP TO-39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current ICM 1.0 A Power Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mW De

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CL100B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPN CK100, A, B PNP TO-39 Metal Can Package Medium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Co

Otros transistores... CJF44H11, CJF45H11, CJF6107, CJF6388, CJF6668, CK100B, CK100S, CL100A, BD336, CL100S, CLB764, CLD667, CLD667A, CLD863, CMBA847E, CMBA847F, CMBA847G