CL100B Todos los transistores

 

CL100B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CL100B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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CL100B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:221K  cdil
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CL100B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPNCK100S PNPTO-39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current ICM 1.0 APower Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mWDe

 9.2. Size:224K  cdil
 cl100 ck100 a b.pdf pdf_icon

CL100B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPNCK100, A, B PNPTO-39Metal Can PackageMedium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCo

Otros transistores... CJF44H11 , CJF45H11 , CJF6107 , CJF6388 , CJF6668 , CK100B , CK100S , CL100A , 2SD2499 , CL100S , CLB764 , CLD667 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G .

History: 2SD1031 | 2SC287A | 2SC2879

 

 
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