CL100S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CL100S
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CL100S
CL100S Datasheet (PDF)
cl100s ck100s.pdf
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPNCK100S PNPTO-39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current ICM 1.0 APower Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mWDe
cl100 ck100 a b.pdf
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPNCK100, A, B PNPTO-39Metal Can PackageMedium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 50 VVCBOCo
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