CL100S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CL100S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CL100S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CL100S даташит

 ..1. Size:221K  cdil
 cl100s ck100s.pdf pdf_icon

CL100S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN/PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS CL100S NPN CK100S PNP TO-39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current ICM 1.0 A Power Dissipation @ Ta=25 deg C PD 800 mW De

 9.1. Size:224K  cdil
 cl100 ck100 a b.pdf pdf_icon

CL100S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS CL100, A, B NPN CK100, A, B PNP TO-39 Metal Can Package Medium Power Transistors Suitable for a wide Range of Medium Voltage and Current Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Co

Другие транзисторы: CJF45H11, CJF6107, CJF6388, CJF6668, CK100B, CK100S, CL100A, CL100B, TIP127, CLB764, CLD667, CLD667A, CLD863, CMBA847E, CMBA847F, CMBA847G, CMBA857E