CLD667 Todos los transistores

 

CLD667 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CLD667
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CLD667 Datasheet (PDF)

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CLD667

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CLD667, CLD667ATO-92Plastic PackageBCELow Frequency Power AmplifierComplementary CLB647/CLB647AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL CLD667 CLD667A UNITSVCBOCollector Base Voltage 120 120 VVCEOC

Otros transistores... CJF6388 , CJF6668 , CK100B , CK100S , CL100A , CL100B , CL100S , CLB764 , TIP42 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 .

History: 2SD1778

 

 
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