CLD667 - описание и поиск аналогов

 

CLD667. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CLD667

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CLD667

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CLD667 даташит

 ..1. Size:118K  cdil
 cld667 a.pdf pdf_icon

CLD667

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CLD667, CLD667A TO-92 Plastic Package B C E Low Frequency Power Amplifier Complementary CLB647/CLB647A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL CLD667 CLD667A UNITS VCBO Collector Base Voltage 120 120 V VCEO C

Другие транзисторы... CJF6388 , CJF6668 , CK100B , CK100S , CL100A , CL100B , CL100S , CLB764 , 2SD2499 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 .

History: CMBT4125 | CJF15032

 

 

 


 
↑ Back to Top
.