Справочник транзисторов. CLD667

 

Биполярный транзистор CLD667 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CLD667
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CLD667

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CLD667 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  cdil
 cld667 a.pdf pdf_icon

CLD667

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CLD667, CLD667ATO-92Plastic PackageBCELow Frequency Power AmplifierComplementary CLB647/CLB647AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL CLD667 CLD667A UNITSVCBOCollector Base Voltage 120 120 VVCEOC

Другие транзисторы... CJF6388 , CJF6668 , CK100B , CK100S , CL100A , CL100B , CL100S , CLB764 , TIP42 , CLD667A , CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 .

History: 2SD2055 | BUL1102E | STBD138T | 2N28

 

 
Back to Top

 


 
.