CLD667A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CLD667A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-92

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CLD667A datasheet

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CLD667A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CLD667, CLD667A TO-92 Plastic Package B C E Low Frequency Power Amplifier Complementary CLB647/CLB647A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL CLD667 CLD667A UNITS VCBO Collector Base Voltage 120 120 V VCEO C

Otros transistores... CJF6668, CK100B, CK100S, CL100A, CL100B, CL100S, CLB764, CLD667, 2SC2655, CLD863, CMBA847E, CMBA847F, CMBA847G, CMBA857E, CMBA857F, CMBT200, CMBT200A